4000頻率內存再添新丁 金邦RGB燈條測試

4000頻率內存再添新丁 金邦RGB燈條測試

(原標題:4000頻率內存再添新丁 金邦RGB燈條測試)

隨着Intel第六代處理器的大量鋪貨,DDR4內存在今年也徹底普及。相比DDR3內存,DDR4內存具有功耗低(壓達到1.2V、甚至更低)、頻率高(最高可達4266MHz)等特點。但目前市面上售賣的DDR4內存頻率普遍在2133MHz和2400MHz,高頻內存寥寥無幾,無法發揮DDR4內存的優勢。近期金邦發佈了一款搭載着最新自主研發 HILM- Hybrid-Independent-Light-Module全綵LED獨立發光模塊技術的DDR4超頻內存系列——EVO X Hardcore Gaming Memory,頻率高達4000MHz,或許改變了這一現狀。

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EVO X Hardcore Gaming Memory

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EVO X所採用的HILM獨立LED發光模塊技術,是將 LED 燈組、控制芯片、線路、開關、以及雙邊電源輸入整合化一,並完全獨立於內存模塊,使內存無論在高頻或是低電壓運作上完全不受干擾,純粹的發揮高端內存該有的極致性能。

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左端供電接口

搭載 HILMS技術的 EVO X,其內存背面左端的電源輸入孔爲 12V RGB,經過與各大主板的研發合作,此電源端口採用最新RGB雙訊號,玩家能藉由各主板廠所規劃的 RGB UI 操作接口來同步 EVO X 上 RGB LED 的燈色及閃爍模式。

右端供電接口

搭載 HILM技術的 EVO X,其內存背面右端電源輸入孔爲 9V/12V 的風扇電源,玩家可輕易透過主板上之風扇電源端口接電,透過 EVO X 散熱片上的槍膛控制鍵,連動至模塊內建整合的 RGB 控制芯片,實時做紅,藍,綠或是全綵循環模式的切換。看了這麼多,相信大家迫不及待的想看看EVO X Hardcore Gaming Memory的表現,我們進入測試環節。

由於DDR4初始頻率爲2133MHz,筆者在主板BIOS中將EVO X Hardcore Gaming Memory降頻至2133MHz與4000MHz頻率進行對比。

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AIDA64

AIDA64內存帶寬測試項目主要包括內存的讀取、寫入、拷貝和延遲參數,並提供全方位的硬件信息的檢測功能,方便用戶知曉平臺硬件配置的準確信息。

DDR4 2133MHz頻率狀態的測試成績(點擊放大)

XMP DDR4 4000MHz頻率狀態的測試成績(點擊放大)

以上是AIDA64內存測試工具的測試情況,我們從測試的數據上分析,在XMP DDR4 2133MHz頻率狀態下,內存讀取、寫入、複製分別爲31309 MB/s、31726 MB/s、28824 MB/s,從測試當中我們可以看出EVO X Hardcore Gaming Memory的延遲時間在54.7ns。

當XMP DDR4 4000MHz頻率時,內存讀取、寫入、複製進一步提升至51586 MB/s、56534 MB/s、49439 MB/s,而延遲時間降低至38.7ns。

WinRAR壓縮性能

WinRAR是一款優秀的文件壓縮、解壓工具,其性能與平臺的CPU、內存和硬盤息息相關,當SSD性能對齊不構成瓶頸後,影響壓縮文件的速率的因素就剩下CPU和內存。

DDR4 2133頻率

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首先依然是BIOS默認DDR4 2133MHz下的成績,EVO X Hardcore Gaming Memory的WinRAR解壓的速率爲10575KB/s。

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DDR4 4000頻率

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接下來測試內存通過XMP認證的配置性能表現,WinRAR解壓的速率爲12291KB/s。相比默認頻率提升明顯。

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Super PI 32M計算性能

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Super PI是一款平臺計算性能測試工具,通過測量算完一定PI後一定位數需要的時間來評價平臺的計算性能,性能的影響因素包括CPU和內存。

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DDR4 2133頻率

首先是默認DDR4 2133MHz的測試,算完32M耗時爲7m38.484s。

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DDR4 4000頻率

接下來的DDR4 3200MHz測試,算完32M耗時7m34.000s,相比默認頻率減少了約4.5s。

全文小結

EVO X Hardcore Gaming Memory 定位於發燒遊戲玩家,只爲提供最好的性能,憑藉4000MHz高頻,內存讀寫帶寬相比傳統內存大幅提升,同時產品採用了RGB LED燈,採用外接供電並且實際燈效可控,產品顏值大幅提升,可以很好的滿足玩家對於個性化定製的需求。

金邦RGB燈條視頻展示

金邦RGB燈條視頻展示

測試平臺軟硬件配置如下:

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測試平臺

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本次測試採用平臺配置爲:英特爾i7 6700K處理器、華擎Z170主板、英偉達GeForce GTX 960顯卡、浦科特M6S PLUS固態硬盤、遊戲悍將刀峰50電源。

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浦科特M6S Plus是上一代M6S的升級產品,主控依舊沿用Marvell9188,只是顆粒從19nm MLC轉向工藝更加先進的15nm MLC,性價比更加明顯。全新M6S Plus經過固件升級後,增加Queued Trim Command支持提高Trim指令的兼容性,有效降低寫入放大提高固態硬盤的綜合使用壽命和耐久度。

MLC顆粒真實不掉速